| Kup teraz, zapłać za 30 dni
crucial Pamięć DDR4 SODIMM 16GB/2666
Kod: 1113099-260917050009
towar dostępny
558,39 zł
brutto za 1 szt
lub 12 × 50,14 zł w ratach · oblicz ratę
Koszt wysyłki
kurier / paczkomat
od 8.99 złkurier / paczkomat
Przewidywany czas dostawy
dni robocze
około pn. 28.09 - czw. 01.10 u Ciebiedni robocze
1 milion zamówieńKilkadziesiąt tysięcy pozytywnych komentarzy
Tylko oryginalny sprzętDystrybucja polska lub europejska
Kup teraz, zapłać późniejRaty lub płatność odroczona
Bezpieczne płatnościSzyfrowane i certyfikowane metody płatności
Dane główne
- Numer katalogowy
- 1113099-260917050009
- Producent
- Crucial
- Model
- CT16G4SFRA266
- EAN
- 649528903563, 0649528903563
- Koszt wysyłki
- od 8.99 zł
- Cena z dnia
- 2026-09-17
- Koszty i czas wysyłki
- Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.
×
Regulamin
Opis
Typ produktu: SDRAM DDR4
EAN: 0649528903563
Kod producenta: CT16G4SFRA266
Pojemność: 16 GB
Ilość: 1 sztuka
Projekt: SO-DIMM
Złącze: 260 pin
Napięcie: 1,2 wolta
Standardowo: DDR4-2666 (PC4-21300)
Zegar fizyczny: 1333 MHz
Czas: 19
: 19
: 19
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.
EAN: 0649528903563
Kod producenta: CT16G4SFRA266
Pojemność: 16 GB
Ilość: 1 sztuka
Projekt: SO-DIMM
Złącze: 260 pin
Napięcie: 1,2 wolta
Standardowo: DDR4-2666 (PC4-21300)
Zegar fizyczny: 1333 MHz
Czas: 19
: 19
: 19
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.
Parametry techniczne
Zobacz też
Produkty podobne z kategorii
Zobacz też
