DDR3 8GB 1600 MHZ CL10 XL SINGLE G.SKILL
kurier / paczkomat
dni robocze
Dane główne
- Numer katalogowy
- 248477-261028073002
- Producent
- G.SKILL
- Model
- F3-12800CL10S-8GBXL
- EAN
- 4711148597838
- Koszt wysyłki
- od 8.99 zł
- Cena z dnia
- 2026-10-28
- Koszty i czas wysyłki
- Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.
Regulamin
Opis
Dane techniczne:
Nazwa produktu: G.Skill 8GB DDR3 - 1600 MHz CL10 RipjawsX
Kod EAN: 4711148597838
Kod producenta: F3-12800CL10S-8GBXL
Seria RipjawsX
Pojemność razem 8 GB
Moduły Ilość kości 1 sztuka
Format DIMM
Gwarancja producenta: dożywotnia
Typ pamięci DDR3
Standard DDR3-1600 (PC3-12800)
Timings
Latencja (CL) 10
RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 10
RAS-Precharge-Time (tRP) 10
Row-Active-Time (tRAS) 30
Organizacja 512Mx8
Napięcie 1.5 V
zgodny z RoHS Tak
Nowoczesny design
Heatsink do chłodzenia pamięci
Pozostałe właściwości
Obsługa kanałów pamięci Dual
Profil SPD Tak
G.Skill to marka założona przez entuzjastów sprzętu komputerowego w 1989 roku, która specjalizuje się w wypuszczaniu na rynki światowe wydajnych pamięci RAM oraz szybkich dysków SSD. Producent ten jest znany z dużego działu Research & Development, dzięki czemu ich pamięci są bardzo znane z wysokiej bezawaryjności i dobrej współpracy nawet na najwyższych obrotach w bardziej zaawansowanych trybach.
Dane techniczne:
Nazwa produktu: G.Skill 8GB DDR3 - 1600 MHz CL10 RipjawsX
Kod EAN: 4711148597838
Kod producenta: F3-12800CL10S-8GBXL
Seria RipjawsX
Pojemność razem 8 GB
Moduły Ilość kości 1 sztuka
Format DIMM
Gwarancja producenta: dożywotnia
Typ pamięci DDR3
Standard DDR3-1600 (PC3-12800)
Timings
Latencja (CL) 10
RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 10
RAS-Precharge-Time (tRP) 10
Row-Active-Time (tRAS) 30
Organizacja 512Mx8
Napięcie 1.5 V
zgodny z RoHS Tak
Nowoczesny design
Heatsink do chłodzenia pamięci
Pozostałe właściwości
Obsługa kanałów pamięci Dual
Profil SPD Tak
Zestaw specjalnie dobranych pamięci DDR3, które oferują szybkość pracy dwukrotnie większą niż najszybsze dostępne obecnie pamięci DDR2, zaś znacznie większa przepustowość magistrali predestynuje je do wydajnej współpracy w systemach z procesorami dwu- i cztero rdzeniowymi. Niższe napięcie zasilania w porównaniu z pamięciami DDR2 (1,8 V) sprzyjać będzie także lepszej wydajności termicznej pamięci.

















