G.Skill DDR4 8 GB 2666-19 Aegis - Single
kurier / paczkomat
dni robocze
Dane główne
- Numer katalogowy
- 869113-261028073007
- Producent
- G.SKILL
- Model
- F4-2666C19S-8GIS
- EAN
- 4719692019974
- Koszt wysyłki
- od 8.99 zł
- Cena z dnia
- 2026-10-28
- Koszty i czas wysyłki
- Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.
Regulamin
Opis
Typ DDR4
EAN 4719692019974
Numer producenta F4-2666C19S-8GIS
Seria Aegis
Pojemność 8 GB
Ilość: 1 sztuka
Projektowanie modułów DIMM
Profile INTEL XMP (wersja 2.0)
Złącze 288-pinowe
Napięcie 1,2 V
Standardowa DDR4-2666 (PC4-21300)
Prędkość fizyczna zegara 1333 MHz
Czasy opóźnienia CAS (CL) 19
Czas aktywności wiersza (tRAS) 43
Więcej informacji: DDR4 to następca DDR3, oferujący szereg innowacji i zalet w stosunku do swojego poprzednika, np. do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większą gęstość danych (umożliwiającą stosowanie modułów pamięci o pojemności do 128 GB, a w przyszłości nawet 512 GB) oraz lepszą stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parzystość detection) i „Per DRAM Addressability”.
Waga 32 gramy
G.Skill F4-2666C19S-8GIS to jednokanałowy moduł pamięci DDR4-2666 o pojemności 8 GB (PC4-21300) z serii Aegis firmy G.Skill. Moduł jest zaprogramowany z opóźnieniem 19-19-19-43 przy częstotliwości 3000 MHz i wymaga napięcia 1,35 V. Obsługuje technologię Intel XMP w wersji 2.0.
Typ DDR4
EAN 4719692019974
Numer producenta F4-2666C19S-8GIS
Seria Aegis
Pojemność 8 GB
Ilość: 1 sztuka
Projektowanie modułów DIMM
Profile INTEL XMP (wersja 2.0)
Złącze 288-pinowe
Napięcie 1,2 V
Standardowa DDR4-2666 (PC4-21300)
Prędkość fizyczna zegara 1333 MHz
Czasy opóźnienia CAS (CL) 19
Czas aktywności wiersza (tRAS) 43
Więcej informacji: DDR4 to następca DDR3, oferujący szereg innowacji i zalet w stosunku do swojego poprzednika, np. do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większą gęstość danych (umożliwiającą stosowanie modułów pamięci o pojemności do 128 GB, a w przyszłości nawet 512 GB) oraz lepszą stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parzystość detection) i „Per DRAM Addressability”.
Waga 32 gramy

















