G.SKILL Ripjaws DDR4 16GB 2x8GB 3200MHz CL22 SO-DIMM 1.2V
kurier / paczkomat
dni robocze
Dane główne
- Numer katalogowy
- 1114752-261028073009
- Producent
- G.SKILL
- Model
- F4-3200C22D-16GRS
- EAN
- 4713294226631
- Koszt wysyłki
- od 8.99 zł
- Cena z dnia
- 2026-10-28
- Koszty i czas wysyłki
- Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.
Regulamin
Opis
Typ SDRAM-DDR4
Kolor czarny
Kod EAN 4713294226631
Kod producenta F4-3200C22D-16GRS
Seria Ripjaws
Pojemność 16 GB (2x8 GB)
Numer 2 sztuk
Konstrukcja SO-DIMM
Odpowiedni kanał dwukanałowy
Profile INTEL XMP (wersja 2.0)
Złącze 260-pinowe
Napięcie 1,2 V
Standardowa pamięć DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny 1600 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 22
Czas aktywności wiersza (tRAS) 52
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB , w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „Per DRAM Adresowalność”.
G.Skill F4-3200C22D-16GRS to zestaw dwóch modułów pamięci DDR4-3200 o pojemności 8 GB (PC4-25600) z serii Ripjaws. 260-pinowe niebuforowane moduły SO-DIMM są odpowiednie dla zegara pamięci do 3200 MHz z opóźnieniem CAS wynoszącym 22-22-22-52. Moduły wymagają napięcia 1,2 V.
Typ SDRAM-DDR4
Kolor czarny
Kod EAN 4713294226631
Kod producenta F4-3200C22D-16GRS
Seria Ripjaws
Pojemność 16 GB (2x8 GB)
Numer 2 sztuk
Konstrukcja SO-DIMM
Odpowiedni kanał dwukanałowy
Profile INTEL XMP (wersja 2.0)
Złącze 260-pinowe
Napięcie 1,2 V
Standardowa pamięć DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny 1600 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 22
Czas aktywności wiersza (tRAS) 52
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB , w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „Per DRAM Adresowalność”.
















