kingston Pamięć desktopowa 16GB /3200 KCP432ND8/16
kurier / paczkomat
dni robocze
Dane główne
- Numer katalogowy
- 1271905-260919073010
- Producent
- KINGSTON
- Model
- KCP432ND8/16
- EAN
- 0740617324808, 740617324808
- Koszt wysyłki
- od 8.99 zł
- Cena z dnia
- 2026-09-19
- Koszty i czas wysyłki
- Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.
Regulamin
Opis
Kingston KCP432ND8/16 to moduł pamięci DDR4-3200 (PC4-25600) o pojemności 16 GB. 288-pinowa, niebuforowana pamięć DIMM obsługuje opóźnienie 22 V przy częstotliwości 3200 MHz i wymaga napięcia 1,2 V.
Typ SDRAM-DDR4
Kolor zielony
EAN 0740617324808
Kod producenta KCP432ND8/16
Pojemność 16 GB
Ilość 1 sztuka
Format DIMM
Organizacja układów pamięci 2RX8
Złącze 288-pinowe
Napięcie 1,2 V
Standardowa DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny 1600 MHz
Czasy opóźnienia CAS (CL) 22
Dodatkowe informacje DDR4 to udoskonalona wersja DDR3, która oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu ze swoim poprzednikiem, np. do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższą gęstość danych (umożliwia stosowanie modułów pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości nawet do 512 GB) oraz lepszą stabilność podczas pracy dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) i „Per DRAM Addressability”.
Kingston KCP432ND8/16 to moduł pamięci DDR4-3200 (PC4-25600) o pojemności 16 GB. 288-pinowa, niebuforowana pamięć DIMM obsługuje opóźnienie 22 V przy częstotliwości 3200 MHz i wymaga napięcia 1,2 V.
Typ SDRAM-DDR4
Kolor zielony
EAN 0740617324808
Kod producenta KCP432ND8/16
Pojemność 16 GB
Ilość 1 sztuka
Format DIMM
Organizacja układów pamięci 2RX8
Złącze 288-pinowe
Napięcie 1,2 V
Standardowa DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny 1600 MHz
Czasy opóźnienia CAS (CL) 22
Dodatkowe informacje DDR4 to udoskonalona wersja DDR3, która oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu ze swoim poprzednikiem, np. do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższą gęstość danych (umożliwia stosowanie modułów pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości nawet do 512 GB) oraz lepszą stabilność podczas pracy dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) i „Per DRAM Addressability”.















