lexar Pamięć do notebooka DDR4 SODIMM 16GB(1*16GB)/3200 CL22
kurier / paczkomat
dni robocze
Dane główne
- Numer katalogowy
- 1282793-260913220510
- Producent
- LEXAR
- Model
- LD4AS016G-B3200GSST
- EAN
- 843367123773, 0843367123773, 60843367123775
- Koszt wysyłki
- od 9.99 zł
- Cena z dnia
- 2026-09-15
- Koszty i czas wysyłki
- Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.
Regulamin
Opis
Lexar LD4AS016G-B3200GSST to moduł pamięci 16 GB DDR4-3200 (PC4-21300). Moduł jest testowany pod kątem opóźnienia 22 przy 3200 MHz. 260-pinowa niebuforowana pamięć SO-DIMM wymaga napięcia 1,2 wolta.
Typ: SDRAM DDR4
Kod EAN: 0843367123773
Kod producenta: LD4AS016G-B3200GSST
Pojemność: 16 GB
Ilość: 1 sztuka
Projekt: SO-DIMM
Złącze: 260 pin
Napięcie: 1,2 wolta
Domyślnie: DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny: 1600 MHz
Czasy: Opóźnienie CAS (CL) | 19
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.
Pamięć SO-DIMM 16 GB DDR4-3200
Lexar LD4AS016G-B3200GSST to moduł pamięci 16 GB DDR4-3200 (PC4-21300). Moduł jest testowany pod kątem opóźnienia 22 przy 3200 MHz. 260-pinowa niebuforowana pamięć SO-DIMM wymaga napięcia 1,2 wolta.
Typ: SDRAM DDR4
Kod EAN: 0843367123773
Kod producenta: LD4AS016G-B3200GSST
Pojemność: 16 GB
Ilość: 1 sztuka
Projekt: SO-DIMM
Złącze: 260 pin
Napięcie: 1,2 wolta
Domyślnie: DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny: 1600 MHz
Czasy: Opóźnienie CAS (CL) | 19
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.
| Kup teraz, zapłać za 30 dni
















