lexar Pamięć do notebooka DDR4 SODIMM 32GB(1*32GB)/3200 CL22
kurier / paczkomat
dni robocze
Dane główne
- Numer katalogowy
- 1282794-260915094209
- Producent
- LEXAR
- Model
- LD4AS032G-B3200GSST
- EAN
- 843367123780, 0843367123780, 60843367123782
- Koszt wysyłki
- od 8.99 zł
- Cena z dnia
- 2026-09-15
- Koszty i czas wysyłki
- Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.
Regulamin
Opis
Typ SDRAM-DDR4
Czarny kolor
Kod EAN -0843367123780
Numer części producenta: LD4AS032G-B3200GSST
Pojemność 32 GB
Ilość 1 sztuka
w formacie SO-DIMM
Złącze 260-pinowe
Napięcie 1,2 V
DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny 1600 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 19
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w stosunku do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB) oraz poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność per DRAM”.
Lexar LD4AS032G-B3200GSST to moduł pamięci DDR4-3200 o pojemności 32 GB (PC4-25600). Moduł został przetestowany pod kątem opóźnienia wynoszącego 22 przy 3200 MHz. 260-pinowy, niebuforowany moduł SO-DIMM wymaga napięcia 1,2 V.Numer artykułu: 1720615
Typ SDRAM-DDR4
Czarny kolor
Kod EAN -0843367123780
Numer części producenta: LD4AS032G-B3200GSST
Pojemność 32 GB
Ilość 1 sztuka
w formacie SO-DIMM
Złącze 260-pinowe
Napięcie 1,2 V
DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny 1600 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 19
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w stosunku do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB) oraz poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność per DRAM”.
| Kup teraz, zapłać za 30 dni
















