Mushkin SO-DIMM 32 GB DDR4-3200 (2x 16 GB) Dual-Kit
kurier / paczkomat
dni robocze
Dane główne
- Numer katalogowy
- 1300966-260913220510
- Producent
- MUSHKIN
- Model
- MRA4S320NNNF16GX2
- EAN
- 0846651029942
- Koszt wysyłki
- od 9.99 zł
- Cena z dnia
- 2026-09-15
- Koszty i czas wysyłki
- Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.
Regulamin
Opis
Typ SDRAM-DDR4
Kolor czarny
Kod EAN 0846651029942
Kod producenta MRA4S320NNNF16GX2
Seria Redline
Pojemność 32 GB (2x16 GB)
Numer 2 sztuk
Konstrukcja SO-DIMM
Złącze 260-pinowe
Napięcie 1,2 V
Standardowa pamięć DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny 1600 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 22
Czas aktywności wiersza (tRAS) 52
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB , w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „Per DRAM Adresowalność”.
Mushkin MRA4S320NNNF16GX2 to zestaw dwóch modułów pamięci DDR4-3200 o pojemności 16 GB (PC4-25600) z serii Redline. Całkowita pojemność wynosi 32 GB. 260-pinowy niebuforowany moduł SO-DIMM jest odpowiedni dla zegara pamięci do 3200 MHz z opóźnieniem 22-22-22-52. Moduły wymagają napięcia 1,2 V.
Typ SDRAM-DDR4
Kolor czarny
Kod EAN 0846651029942
Kod producenta MRA4S320NNNF16GX2
Seria Redline
Pojemność 32 GB (2x16 GB)
Numer 2 sztuk
Konstrukcja SO-DIMM
Złącze 260-pinowe
Napięcie 1,2 V
Standardowa pamięć DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny 1600 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 22
Czas aktywności wiersza (tRAS) 52
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB , w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „Per DRAM Adresowalność”.
| Kup teraz, zapłać za 30 dni

















