NB MEMORY 16GB PC25600 DDR4/SO KVR32S22S8/16 KINGSTON
kurier / paczkomat
dni robocze
Dane główne
- Numer katalogowy
- 1691709-261105050017
- Producent
- KINGSTON
- Model
- KVR32S22S8/16
- EAN
- 0740617310894, 740617310894
- Koszt wysyłki
- od 8.99 zł
- Cena z dnia
- 2026-11-05
- Koszty i czas wysyłki
- Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.
Regulamin
Opis
Typ SDRAM-DDR4
Kod EAN -0740617310894
Numer części producenta: KVR32S22S8/16
Seria ValueRAM
Pojemność 16 GB
Ilość 1 sztuka
w formacie SO-DIMM
Złącze 260-pinowe
Napięcie 1,2 V
DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny 1600 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 22
Czas wstępnego ładowania RAS (tRP) 22
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w stosunku do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB) oraz poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność per DRAM”.
Uwaga: pojedyncza ranga x8
Kingston KVR32S22S8/16 to moduł pamięci DDR4-3200 o pojemności 16 GB (PC4-25600) z serii ValueRAM. 260-pinowy moduł SO-DIMM jest zaprogramowany na opóźnienie CAS wynoszące 22-22-22 przy 3200 MHz i wymaga napięcia 1,2 V. Nr artykułu: 1767771
Typ SDRAM-DDR4
Kod EAN -0740617310894
Numer części producenta: KVR32S22S8/16
Seria ValueRAM
Pojemność 16 GB
Ilość 1 sztuka
w formacie SO-DIMM
Złącze 260-pinowe
Napięcie 1,2 V
DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny 1600 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 22
Czas wstępnego ładowania RAS (tRP) 22
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w stosunku do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB) oraz poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność per DRAM”.
Uwaga: pojedyncza ranga x8















