Team Group DDR4 - 32GB - 3200 - CL - 16 T-Create Expert Kolor: CZARNY Dual Kit
kurier / paczkomat
dni robocze
Dane główne
- Numer katalogowy
- 1303098-261028050010
- Producent
- Team Group
- Model
- TTCED432G3200HC16FDC01
- EAN
- 0765441658677
- Koszt wysyłki
- od 8.99 zł
- Cena z dnia
- 2026-10-28
- Koszty i czas wysyłki
- Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.
Regulamin
Opis
Typ SDRAM-DDR4
Kolor czarny
Kod EAN 0765441658677
Kod producenta TTCED432G3200HC16FDC01
Seria T-CREATE EXPERT
Pojemność 32 GB (2x16 GB)
Numer 2 sztuk
Konstrukcja DIMM
Złącze 288-pinowe
Napięcie 1,35 V (od 1,3 do 1,4 V)
Standardowa pamięć DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny 1600 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 16
Czas aktywności wiersza (tRAS) 40
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB , w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „Per DRAM Adresowalność”.
Team Group TTCED432G3200HC16FDC01 to zestaw dwóch modułów pamięci DDR4-3200 o pojemności 16 GB (PC4-25600) z serii T-CREATE EXPERT. Całkowita pojemność wynosi 32 GB. Moduły obsługują taktowanie 16-20-20-40 przy 3200 MHz i wymagają napięcia 1,35 V.
Typ SDRAM-DDR4
Kolor czarny
Kod EAN 0765441658677
Kod producenta TTCED432G3200HC16FDC01
Seria T-CREATE EXPERT
Pojemność 32 GB (2x16 GB)
Numer 2 sztuk
Konstrukcja DIMM
Złącze 288-pinowe
Napięcie 1,35 V (od 1,3 do 1,4 V)
Standardowa pamięć DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny 1600 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 16
Czas aktywności wiersza (tRAS) 40
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB , w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „Per DRAM Adresowalność”.


















